碳化硅新型材料将为功率器件带来全新变化,该文是新型材料方面硕士论文范文与碳化硅和功率和器件类电大毕业论文范文.
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20世纪80年代出现了革命性的IGBT技术,如今的宽带半导体碳化硅(SiC)也越来越显示出再次革新电力电子世界的希望.虽然IGBT为我们带来了能够以较低的通态损耗以及控制良好的高压开关阻断晶体管.然而,这种器件在开关速度上比较有限,导致了较高的开关损耗、庞大且昂贵的热管理以及功率转换系统效率的上限.SiC晶体管的出现在相似的通态损耗（实际上在轻负载状态下会更低）以及电压闭锁能力的条件下几乎消除了IGBT所具有的开关损耗,除了降低系统的整体重量和尺寸外,它还带来了前所未有的效率提高.
如今,整个半导体产业都在开发碳化硅技术.英飞凌首款全碳化硅模块开始量产,并在PCIM上推出CooISiC家族新产品,实现了更高效率、更大功率密度、更小尺寸和更低系统成本,这正是基于碳化硅的晶体管的主要优势.
最近,三菱电机投资兴建了6英寸晶圆生产线,扩大碳化硅功率器件产量.其目的是提高三菱电机旗下碳化硅功率器件的市场渗透率,再配合创新技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品.
中国的厂商也不甘落后,一些有实力的公司都在开发碳化硅技术.第三代半导体产业技术创新战略联盟等正式启动了我国首个碳化硅新型充电桩示范工程,标志着我国碳化硅新型充电桩迈出了实际应用的第一步.这对提升我国核心竞争力与支撑节能减排战略具有重要意义.
我们有理由期待,尽管溢价超过硅器件,但由于成本抵消的系统层面效益,随着材料成本的下降,碳化硅技术的市场份额在未来几年将大幅增加,我们终于可以看到在绿色能源中可以更好地发挥碳化硅技术的潜力.
在本期杂志里,Littelfuse公司技术的文章SiC MOET的发展状况,为我们演绎了SiC MOET技术发展的来龙去脉,以及这种器件进展的简史,展示其今天的技术优势和未来的商业前景.
随着电动汽车和混合动力汽车电池技术的不断提高和车辆可行驶里程的增加,消费者对这一类汽车的兴趣正与日俱增.或许在不久的将来,EV/HEV将成为传统内燃机引擎汽车的“绿色”替代品.这当中电动汽车配电母线的选择至关重要.罗杰斯电力电子解决方案事业部Dominik Pawlik的文章做了很好解答.
作为基于IGBT半导体器件的电力电子产品,随着高功率密度以及低系统成本的发展需求,NPC 1型三电平逐渐成为业内主流的拓扑结构.杭州飞仕得科技有限公司洪磊的文章介绍了数字IGBT驱动技术在高可靠性APF/SVG产品中的应用.
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