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半导体材料论文参考文献：
第三代半导体材料
市场成长可期
本报讯5G 将于2020 年迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,第三代半导体材料碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的发展将被带动.根据拓墣产业研究院估计,2018 年全球SiC 基板产值将达1.8 亿美元,而GaN 基板产值仅约3百万美元.
拓墣产业研究院指出,相较目前主流的硅晶圆（Si）,第三代半导体材料SiC 及GaN 除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计,达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积的效果.除了轻化车辆设计之外,因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性,也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失,两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助.因此,SiC 及GaN功率组件的技术和市场发展,与电动车的发展密不可分.
然而,SiC 材料仍在验证与导入阶段,现阶段车用领域仅应用于赛车,因此,全球现阶段的车用功率组件,采用SiC 的解决方案的面积不到千分之一.另一方面,目前市场上的GaN 功率组件则以GaN-on-SiC 及GaN-on-Si 两种晶圆进行制造,其中GaN-on-SiC 在散热性能上最具优势,相当适合应用在高温、高频的操作环境,因此在5G 基站的应用能见度最高、预期SiC 基板未来五年在通过车厂验证、2020 年5G 商用的带动下,将进入高速成长期.
尽管GaN 基板在面积大型化的过程中,成本居高不下,造成GaN 基板的产值目前仍小于SiC 基板.除了高规格产品使用GaN-on-SiC 的技术外,GaN-on-Si 的成本优势,成为目前GaN 功率组件的市场主流,在智能手机所需的电源管理芯片及充电系统的应用最具成长性.
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