青铜剑科技深耕电力电子领域，自主研发国内首款IGBT驱动芯片,本文是电力电子类有关毕业论文范文与青铜剑和自主研发和深耕类大学毕业论文范文.
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根据赛迪顾问的报告,目前我国功率器件市场规模持续扩大.其中汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性不断凸显,成为功率器件市场增长的关键因素.功率半导体占到新能源汽车新增半导体用量的76％、新能源整车半导体用量的50％.IGBT 模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源整车成本的10％,占到充电桩成本的20％.随着新能源汽车及充电桩市场进入爆发期,未来5 年这些市场将带动200 亿元IGBT 模块及其驱动的需求.
多年来青铜剑科技深耕电力电子器件领域,其中IGBT 驱动是其重点关注市场.在PCIM Asia 2018 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会上,青铜剑科技副总裁傅俊寅接受了记者的采访,重点介绍了青铜剑科技在IGBT驱动与碳化硅驱动等方面的进展及市场动向.
傅俊寅首先介绍了公司潜心研发的碳化硅MOET 驱动产品,包括针对英飞凌、三菱、富士、罗姆和Wolfspeed 等公司模块封装推出的2CP0214T12-Q、2QP0435T12-SiC-SL、2CP0208T12-Q 和2CP0510T12-ZCA 等多款驱动产品.在产品设计过程中,凭借丰富的研发经验,青铜剑针对碳化硅MOET 短路失效时间短、门槛电压高导致保护设计难的问题,对驱动做了很多卓有成效的优化设计.碳化硅是未来电力电子器件的发展趋势,青铜剑科技将继续与众多厂商紧密合作,开发更优质的碳化硅MOET 驱动产品.
青铜剑科技另外一个研发重点是新能源汽车IGBT 驱动.近年来汽车应用发展特别快,而汽车领域的器件需求比较特殊,既要求高可靠性又必须控制成本,需要产品具备较高的性价比,同时还要考虑功能安全,青铜剑科技为此投入了大量的研发资源在汽车应用上.
公司推出了适配英飞凌汽车级IGBT HP-Driver、HP1&HP1-DC6和富士M653 的专用驱动器6AP0215T08-HPD、6AP0108T07-HP1、6AP0215T08-M653 等产品,受到市场青睐.
回顾青铜剑科技的创立过程,傅俊寅介绍到,公司创始团队均来自清华大学和剑桥大学,在电力电子领域有着深厚的造诣.2012年,青铜剑科技成功研发了国内首款IGBT 驱动芯片.经过多年的技术和市场积累,青铜剑科技逐渐发展成为中国IGBT 驱动领军企业,在新能源发电、新能源汽车等领域表现卓越,产品累计超过150 万只.在激烈的市场竞争中,青铜剑科技通过持续的技术创新,为客户提供化和高性价比方案,在行业树立了良好的口碑.
谈到行业发展情况,傅俊寅表示近年来新能源发电行业进入发展平稳期,而新能源汽车行业处于快速发展阶段.中国电力电子器件技术比国外要滞后很多,但是现在已在逐步扭转局面.以前模块厂商通过产品创新去推动行业发展,而现在情况已经发生逆转.国内电力行业企业的各种需求在不断地推动模块厂商与器件厂商迭代,这在一定层面上代表着行业在更快速更有生机地发展,但是也意味着市场竞争更加激烈,企业研发压力变得越来越大.
电力电子系统功能日趋复杂,但是器件逐步简洁轻量化,以提高产品可靠性.以前企业用五年时间研发的产品可能具备十年的生命力,而现在的技术迭代要求一到两年就能将产品推向市场,然后马上投入到下一代的替代产品研发,新产品的生命力可能也就三到四年.同时技术迭代越快,企业需要投入更多的人力、时间和资金等研发资源.未来青铜剑科技将与众多合作伙伴共同努力,推动中国电力电子器件行业产业链协同发展.
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